打印

[国外] 20nm最强制程三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

sissel

LEVEL 4(野外探险家)

发帖学徒

Rank: 3 Rank: 3

帖子: 225
精华: 0
积分: 22
金币: 1115 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 14 度
感谢: 328 度
贡献: 0 值
赞助: 0 次
推广: 0 人
阅读权限: 20
注册时间: 2011-11-24

1楼大中小发表于 2011-12-1 08:24 只看该作者

本贴共获得感谢 X 2

20nm最强制程三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。
相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点；根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
预计三星将在明年2月在美国旧金山召开的ISSCC会议上公布这种新内存的具体细节。

三星最早造出的512Mbit相变内存颗粒采用60nm工艺制程

本贴共获得感谢 X 2

TOP

作者的其他主题:
女优求鉴定女优求鉴定七代酷睿加持联想ThinkPad E570 GTX拆解[48P] 苹果AirPods耳机拆解：坏了别想修！[52P] Intel真在挤牙膏？历代Core i7处理器性能大比拼[35P] 5399元王者！NVIDIA GTX 1080显卡完全评测[55P]

ixsam

LEVEL 7(优秀层次)

发帖学徒

Rank: 6 Rank: 6

帖子: 163
精华: 0
积分: 68
金币: 2907 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 39 度
感谢: 20 度
贡献: 0 值
赞助: 1 次
推广: 0 人
阅读权限: 50
注册时间: 2011-11-14

2楼大中小发表于 2011-12-3 17:56 只看该作者

韩国棒子的东西真的非常讨厌，哪怕他现在是世界第二吧

TOP

wjf136928

LEVEL 0(等待删除)

发帖新手

帖子: 44
精华: 0
积分: -1
金币: -41 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 0 度
感谢: 0 度
贡献: 0 值
赞助: 0 次
推广: 0 人
阅读权限: 0
注册时间: 2011-11-27

3楼大中小发表于 2011-12-3 18:22 只看该作者

不知道有什么用啊？...

TOP

wjf136928

LEVEL 0(等待删除)

发帖新手

帖子: 44
精华: 0
积分: -1
金币: -41 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 0 度
感谢: 0 度
贡献: 0 值
赞助: 0 次
推广: 0 人
阅读权限: 0
注册时间: 2011-11-27

4楼大中小发表于 2011-12-3 18:23 只看该作者

貌似它还没资格做世界第二

TOP

sqyzlh

LEVEL 4(野外探险家)

发帖初学者

Rank: 3 Rank: 3

帖子: 572
精华: 0
积分: 23
金币: 1155 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 107 度
感谢: 655 度
贡献: 0 值
赞助: 0 次
推广: 0 人
阅读权限: 20
注册时间: 2010-2-22

5楼大中小发表于 2011-12-3 22:35 只看该作者

期待，希望内存能更好用，断电保存挺不错的

TOP

wangbehu

LEVEL 7(优秀层次)

发帖初学者

Rank: 6 Rank: 6

帖子: 387
精华: 0
积分: 68
金币: 3414 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 46 度
感谢: 33 度
贡献: 0 值
赞助: 0 次
推广: 0 人
阅读权限: 50
注册时间: 2008-7-9

6楼大中小发表于 2011-12-3 23:53 只看该作者

虽说棒子很讨人厌，但是不得不说以现在的生产水平来说，生产的东西很好，这是没有办法的事情，只能习惯了。
真希望国内有高手制造更好的东西，那就真的扬眉吐气了。

TOP

heisezhuan

LEVEL 7(优秀层次)

发帖初学者

Rank: 6 Rank: 6

帖子: 705
精华: 0
积分: 102
金币: 3577 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 1895 度
感谢: 84 度
贡献: 0 值
赞助: 3 次
推广: 0 人
阅读权限: 50
注册时间: 2010-1-9

7楼大中小发表于 2011-12-4 09:26 只看该作者

又是韩国棒子，你说我们堂堂天朝在这些技术上怎么就一点拿得出手的东西都没有呢？

TOP

jiller

LEVEL 2(新手出村)

发帖学徒

Rank: 1

帖子: 136
精华: 0
积分: 5
金币: 273 枚
原创: 0 贴
威望: 0 点
支持: 13 度
感谢: 3 度
贡献: 0 值
赞助: 0 次
推广: 0 人
阅读权限: 10
注册时间: 2008-9-28

8楼大中小发表于 2011-12-16 14:42 只看该作者

三星太牛了，以前几年很火的MRAM磁内存最近怎么没有声音了

TOP

论坛导航 (鼠标移进移出可开关导航)

BT区

热门人气区

文学区

图片鉴赏区

信息区

综合区

其他区

管理团队区

[国外] 20nm最强制程三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

20nm最强制程三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

论坛导航 (鼠标移进移出可开关导航)

BT区

热门人气区

文学区

图片鉴赏区

信息区

综合区

其他区

管理团队区

[国外] 20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

20nm最强制程 三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

[国外] 20nm最强制程三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]

20nm最强制程三星造出8Gb相变内存颗粒[1P]