惠普展示首个忆阻器半导体混合电路

任何一本电子学教科书都能够告诉你，电路是由三大基本元件组成的：电容、电阻和电感。而在1971年，加州大学伯克利分校教授Leon Chua预测，存在第四种基本元件：记忆电阻（Memristor）。

今年5月，惠普实验室的研究人员在《自然》杂志上撰文证实，忆阻器在纳米级电子系统中确实存在。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压，改变其阻值。除了学术研究用途外，如果利用其不同阻值代表数字信号，在半导体电路中实现数据存储也大有前途。

上周，首届“忆阻器及忆阻器系统论坛”在美国加州伯克利举行。惠普实验室在会议上展示了首个忆阻器半导体混合电路。他们将一块FPGA芯片中的部分半导体电路摘除，用忆阻器替代。由于单个忆阻器就能够实现一组闪存电路的功能，同时比闪存速度更快，能效更高。因此这样的混合电路能够降低芯片中晶体管数量，大幅降低成本，甚至有望靠这一新技术延续摩尔定律。

惠普实验室的研发带头人Stan Williams表示，目前忆阻器电路投入实用面临的最大问题是，全世界只有极少数研发人员懂得如何利用忆阻器设计电路。但他仍然相信，忆阻器半导体混合电路有望在三年内实现商用。




忆阻器半导体混合电路，图中红色部分即Memristor记忆电阻

[ 本帖最后由 aisexinsexnet 于 2008-11-26 19:44 编辑 ]